深圳市英科凌电子有限公司
全站搜索
产品搜索
 
 
文章正文
我国IGBT技术获重大突破 代表呼吁成立产业发展专项基金加大推广
作者:管理员    发布于:2010-03-11 16:50:24    文字:【】【】【

新华网北京3月8日电(记者丁文杰、华晔迪)全国人大代表、湖南省经信委主任谢超英7日向记者透露,我国IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片技术获得重大突破,产

品性能稳定,眼下,这一过去长期被国外垄断的技术,还需要政府加大推广力度。

IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件,为世界公认的电力电子第三次技术革命的代表性产品,具有高频率、高电压、大电流,易于开关等优良性能,被业界誉为功率变流装置的“CPU”。

谢超英透露,中国南车已在湖南株洲成功实现首批8英寸1700V IGBT芯片下线,首批产品已在昆明地铁装车考核,安全运行近10万公里。目前,8英寸3300V芯片已完成试制与测试,正在机车上运行考核,而6500V芯片也已研发出合格样品。此前,中国南车在株洲已经建成全球第二条、国内首条8英寸IGBT芯片专业生产线。

近年来,随着国民经济的快速发展,功率半导体技术已经日益广泛地应用于日常消费品、工业制造、电力输配、交通运输、航空航天、可再生能源及军工等重点领域,只要涉及到用电的各种场合,就离不开以功率半导体为核心的电力电子技术的应用。目前,中国是世界上最大的功率半导体器件消费国,但作为产业链高端的功率芯片则全部依赖进口。

谢超英建议,为尽快改变目前我国在产业链高端的功率半导体芯片基本依赖进口的局面,建议国家出台扶持政策,比如成立产业发展专项基金鼓励IGBT应用推广。建议由工信部牵头,成立IGBT产业发展专项基金,鼓励与支持国产IGBT器件的进口替代及应用推广,同时依托国内优势企业,通过示范和引导,大力推进我国IGBT产业化并形成规模优势。

 
脚注信息

百度友情链接: